美國國家工程研究院最近公佈新院士名單，共有三位華裔學者入選，本刊上期僅提及吳京院士及陳惠發教授，尚有一位獲此殊榮者為本院新科院士、著名之電子工程專家施敏。施院士為台大電機工程學士、美國史丹佛大學博士，現任交通大學教授。他對現代微電子科技（Microelectronics）的發展有重大貢獻，是半導體元件物理及製程技術的權威。他在經濟部電子工業小組委員任內，協助成立工研院電子所，對開拓我國電子工業有前瞻性的建樹。

施敏，是非常厲害的人物，之前在貝爾實驗室研究，幾年前才回到國內，是大哥大四個發明人之一，寫過一本半導體元件物理，發行量大概已有一兩百萬本，被論文引用的次數約兩萬多次(據說是世界第一)，這樣說只是想傳達一位學術界上很有地位的學者的看法而已。

施敏先生在一場Evolution of Nonvolatile Semiconductor Memory的Seminar時再三的強調關於手機的危險性，他引用美國目前研究的數據：
人類如處在2mG(毫高斯)，就會有不好的影響，並當場示範，只使用可在10~200Hz(赫茲)範圍內的儀器，量的的結果是：
手機超過了儀器的上限 1000mG，而手機所用的微波範圍在2000,20000Hz 或更高。

他在國家實驗室所量的結果可以到達1~2萬 mG(毫高斯)，這是通話中所量測的，更別提是在接通中了。本實驗所用的手機是motorola的，其他的品牌也不會好到哪去。

他 ..

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